高頻微波介電常數試驗儀電介質在外電場作用下，其內部會有發熱現象，這說明有部分電能已轉化為熱能耗散掉，電介質在電場作用下，在單位時間內因發熱而消耗的能量稱為電介質的損耗功率，或簡稱介質損耗（diclectric  loss）。介質損耗是應用于交流電場中電介質的重要品質指標之一。介質損耗不但消耗了電能，而且使元件發熱影響其正常工作。如果介電損耗較大，甚至會引起介質的過熱而絕緣破壞，所以從這種意義上講，介質損耗越小越好。

測(ce)量方法的(de)選擇：

 GDAT-A測量電容率和介質損(sun)耗因數(shu)的(de)方(fang)法(fa)(fa)可(ke)分成兩種(zhong):零點指示法(fa)(fa)和諧振法(fa)(fa)。

1  零點指示法適用(yong)(yong)(yong)于(yu)頻(pin)率(lv)(lv)不超過(guo)50  MHz時(shi)的測量(liang)。測量(liang)電(dian)(dian)(dian)容率(lv)(lv)和(he)(he)介質損(sun)耗因數可用(yong)(yong)(yong)替代法;也就(jiu)是(shi)在(zai)接(jie)人試樣和(he)(he)不接(jie)試樣兩種狀態下，調節回路(lu)的一個臂(bei)使電(dian)(dian)(dian)橋(qiao)平衡。通(tong)常回路(lu)采用(yong)(yong)(yong)西林電(dian)(dian)(dian)橋(qiao)、變(bian)(bian)壓器電(dian)(dian)(dian)橋(qiao)(也就(jiu)是(shi)互感(gan)藕合比例臂(bei)電(dian)(dian)(dian)橋(qiao))和(he)(he)并(bing)聯  T型(xing)網絡。變(bian)(bian)壓器電(dian)(dian)(dian)橋(qiao)的優點:采用(yong)(yong)(yong)保護電(dian)(dian)(dian)極不需任何外加附(fu)件或過(guo)多(duo)操作，就(jiu)可采用(yong)(yong)(yong)保護電(dian)(dian)(dian)極;它沒有其他網絡的缺點。

2 諧(xie)振法適用于10  kHz一幾百(bai)MHz的(de)(de)頻率范圍(wei)內的(de)(de)測(ce)量。該(gai)(gai)方法為替代法測(ce)量，常用的(de)(de)是變(bian)電(dian)抗法。但該(gai)(gai)方法不適合采用保護電(dian)極(ji)。

 注:典型的(de)電(dian)橋(qiao)和電(dian)路(lu)示例(li)見(jian)附錄。附錄中所舉(ju)的(de)例(li)子自然是不全面的(de)，敘述電(dian)橋(qiao)和側量方法報導見(jian)有關文獻和該種儀器的(de)原理說明書

主要技術特性：

介質(zhi)損(sun)耗(hao)(hao)(hao)和(he)(he)介電(dian)常數(shu)(shu)是(shi)各(ge)種電(dian)瓷、裝置瓷、電(dian)容器等陶瓷，還(huan)有(you)復(fu)合材(cai)料等的(de)(de)(de)一項重要的(de)(de)(de)物理性質(zhi)，通過測(ce)定介質(zhi)損(sun)耗(hao)(hao)(hao)角(jiao)正(zheng)切tanδ及介電(dian)常數(shu)(shu)(ε)，可進(jin)一步(bu)了(le)解影(ying)響介質(zhi)損(sun)耗(hao)(hao)(hao)和(he)(he)介電(dian)常數(shu)(shu)的(de)(de)(de)各(ge)種因素，為(wei)提(ti)(ti)高(gao)材(cai)料的(de)(de)(de)性能提(ti)(ti)供(gong)依據；儀(yi)(yi)器的(de)(de)(de)基本(ben)原(yuan)理是(shi)采用(yong)(yong)(yong)高(gao)頻(pin)(pin)(pin)(pin)諧(xie)(xie)振(zhen)法，并(bing)提(ti)(ti)供(gong)了(le)，通用(yong)(yong)(yong)、多用(yong)(yong)(yong)途、多量(liang)程的(de)(de)(de)阻抗(kang)測(ce)試。它以單片(pian)計算機(ji)作為(wei)儀(yi)(yi)器的(de)(de)(de)控制，測(ce)量(liang)核心采用(yong)(yong)(yong)了(le)頻(pin)(pin)(pin)(pin)率數(shu)(shu)字鎖定，標準頻(pin)(pin)(pin)(pin)率測(ce)試點自(zi)動(dong)(dong)(dong)設定，諧(xie)(xie)振(zhen)點自(zi)動(dong)(dong)(dong)搜索，Q值(zhi)(zhi)量(liang)程自(zi)動(dong)(dong)(dong)轉換，數(shu)(shu)值(zhi)(zhi)顯示等新技術，改進(jin)了(le)調諧(xie)(xie)回(hui)(hui)路(lu)，使得調諧(xie)(xie)測(ce)試回(hui)(hui)路(lu)的(de)(de)(de)殘(can)余電(dian)感減至低，并(bing)保留了(le)原(yuan)Q表中(zhong)自(zi)動(dong)(dong)(dong)穩(wen)幅(fu)等技術，使得新儀(yi)(yi)器在使用(yong)(yong)(yong)時更為(wei)方便，測(ce)量(liang)值(zhi)(zhi)更為(wei)精(jing)確(que)。儀(yi)(yi)器能在較高(gao)的(de)(de)(de)測(ce)試頻(pin)(pin)(pin)(pin)率條件下(xia)，測(ce)量(liang)高(gao)頻(pin)(pin)(pin)(pin)電(dian)感或(huo)諧(xie)(xie)振(zhen)回(hui)(hui)路(lu)的(de)(de)(de)Q值(zhi)(zhi)，電(dian)感器的(de)(de)(de)電(dian)感量(liang)和(he)(he)分布電(dian)容量(liang)，電(dian)容器的(de)(de)(de)電(dian)容量(liang)和(he)(he)損(sun)耗(hao)(hao)(hao)角(jiao)正(zheng)切值(zhi)(zhi)，電(dian)工材(cai)料的(de)(de)(de)高(gao)頻(pin)(pin)(pin)(pin)介質(zhi)損(sun)耗(hao)(hao)(hao)，高(gao)頻(pin)(pin)(pin)(pin)回(hui)(hui)路(lu)有(you)效并(bing)聯及串聯電(dian)阻，傳輸線(xian)的(de)(de)(de)特性阻抗(kang)等。

使用方法

高頻(pin)Q表(biao)是多(duo)用(yong)途(tu)的阻抗(kang)測(ce)量儀器，為了提高測(ce)量精度(du)，除(chu)了使Q表(biao)測(ce)試回(hui)路(lu)(lu)本身殘余(yu)參量盡可能地小，使耦合回(hui)路(lu)(lu)的頻(pin)響盡可能地好之外(wai)，還要(yao)掌握正確的測(ce)試方法(fa)和殘余(yu)參數修正方法(fa)。

1．測試注意事(shi)項

a．本儀(yi)器應水平安(an)放；

b．如果你需要較精(jing)確地測量，請接通電(dian)源后，預(yu)熱30分鐘；

c．調節主調電容(rong)或主調電容(rong)數碼開關時(shi)，當接近(jin)諧(xie)振點時(shi)請緩調；

d．被(bei)測件和測試(shi)電路接線柱間(jian)的(de)接線應盡量(liang)短，足夠粗，并應接觸良好、可靠，以(yi)減(jian)少因接線的(de)電阻和分(fen)布(bu)參數(shu)所帶來(lai)的(de)測量(liang)誤(wu)差(cha)；

e．被測(ce)件(jian)不要直(zhi)接擱在(zai)面(mian)板頂部，離頂部一公分以上(shang)，必要時(shi)可用低損耗的絕緣材料(liao)如聚苯乙烯等做成的襯(chen)墊(dian)物襯(chen)墊(dian)；

f．手不得靠近試件(jian)，以免人體(ti)感應影響造(zao)成測(ce)量誤差，有(you)屏蔽的(de)試件(jian)，屏蔽罩(zhao)應連接在(zai)低電位端(duan)的(de)接線柱。

2．高頻(pin)線圈的Q值測量（基本測量法）

高(gao)頻/音(yin)頻介電常數測試儀GDAT-A原始包裝：

請(qing)保留所有的(de)原始包裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)材料，如(ru)果機器必須回廠(chang)維修，請(qing)用原來的(de)包裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)材料包裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)。并請(qing)先(xian)與(yu)制(zhi)造(zao)廠(chang)的(de)維修中心(xin)聯絡。送修時，請(qing)務(wu)必將全部的(de)附件(jian)一(yi)起(qi)送回，請(qing)注明故障(zhang)現象和原因。另(ling)外，請(qing)在包裝(zhuang)(zhuang)(zhuang)上注明“易碎(sui)品”請(qing)小心(xin)搬運。

安全注意事項：

開機之(zhi)前，敬請仔細閱讀本  使用(yong)指(zhi)南，以防(fang)止(zhi)出(chu)現對(dui)操(cao)(cao)(cao)作人(ren)員(yuan)的(de)意(yi)外(wai)傷(shang)害(hai)或(huo)對(dui)儀器(qi)(qi)的(de)損壞(huai)等(deng)的(de)事件(jian)。操(cao)(cao)(cao)作前，請閱讀“安(an)裝(zhuang)與(yu)設(she)置”，保(bao)證對(dui)儀器(qi)(qi)各(ge)部(bu)件(jian)的(de)正確(que)安(an)裝(zhuang)與(yu)連接(jie)。在(zai)*次操(cao)(cao)(cao)作前，務(wu)必請有(you)操(cao)(cao)(cao)作經驗(yan)的(de)人(ren)員(yuan)進(jin)行指(zhi)導，防(fang)止(zhi)誤操(cao)(cao)(cao)作造(zao)成(cheng)意(yi)外(wai)事件(jian)的(de)發(fa)生。電擊危險：  確(que)保(bao)在(zai)安(an)裝(zhuang)或(huo)維(wei)修該(gai)儀器(qi)(qi)之(zhi)前使所(suo)有(you)導線斷電，防(fang)止(zhi)在(zai)帶(dai)電情(qing)況下，對(dui)人(ren)員(yuan)或(huo)設(she)備造(zao)成(cheng)傷(shang)害(hai)。

注意(yi)事項:  1、該(gai)儀器(qi)(qi)初始的(de)(de)包裝(zhuang)材(cai)料需(xu)小心保(bao)存，安裝(zhuang)需(xu)由本公(gong)司的(de)(de)專業技術(shu)人員進(jin)行操作。2、若儀器(qi)(qi)由于任何原因必須(xu)返修，必須(xu)將(jiang)其(qi)裝(zhuang)入原紙箱中以防運輸途中損壞。3、在開機前，操作者要首先熟悉操作方法。

高頻微波介電常數試驗儀技術參數：

1．Q值測量

a．Q值測量(liang)范圍：2～1023。

b．Q值量(liang)程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。

c．標稱誤差

     頻率范圍（100kHz～10MHz）：  頻率范圍（10MHz～160MHz）：

   ;  固(gu)(gu)有誤(wu)差：≤5％±滿度(du)值(zhi)的2%  固(gu)(gu)有誤(wu)差：≤6％±滿度(du)值(zhi)的2%

     工作(zuo)(zuo)誤(wu)(wu)差：≤7％±滿度值(zhi)的2%  工作(zuo)(zuo)誤(wu)(wu)差：≤8％±滿度值(zhi)的2%

2．電感測(ce)量范圍：4.5nH~7.9mH

3．電(dian)容(rong)測量：1~205

     主電(dian)容調節(jie)范(fan)圍：18～220pF

  ;   準確度：150pF以(yi)下±1.5pF；  150pF以(yi)上±1%

     注：大于直接測量范(fan)圍的電容測量見后頁使用(yong)說明

4.   信(xin)號源(yuan)頻率覆蓋(gai)范圍(wei)

     頻率范(fan)圍(wei)CH1:0.1～0.999999MHz, CH2:  1～9.99999MHz,

     CH3:10～99.9999MHz, CH1  :100～160MHz,

5．Q合(he)格(ge)指示預(yu)置功能:      預(yu)置范圍：5～1000。

6．B-測試(shi)儀正(zheng)常工(gong)作條(tiao)件

a.   環境溫度：0℃～+40℃；

b．相對濕(shi)度：<80％；

c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

7．其他(ta)

a．消耗(hao)功率：約25W；

b．凈重：約(yue)7kg；

c.  外型尺寸：（l×b×h）mm：380×132×280。

注意事項

a．本(ben)儀器應水(shui)平安(an)放(fang)；

b．如(ru)果你需要(yao)較精確(que)地(di)測量(liang)，請(qing)接通電源后，預熱(re)30分鐘；

c．調(diao)節主(zhu)調(diao)電容或(huo)主(zhu)調(diao)電容數碼(ma)開(kai)關時，當接(jie)近諧振點時請緩調(diao)；

d．被測件和(he)測試電路接(jie)(jie)線(xian)柱間的(de)接(jie)(jie)線(xian)應(ying)盡(jin)量短，足夠(gou)粗，并(bing)應(ying)接(jie)(jie)觸良(liang)好、可靠，以減(jian)少因接(jie)(jie)線(xian)的(de)電阻和(he)分(fen)布參數(shu)所帶來(lai)的(de)測量誤差；

e．被測件不要直接擱在(zai)面板頂部(bu)，離(li)頂部(bu)一公分(fen)以上，必要時可用低損耗的絕(jue)緣材料如聚苯乙烯等(deng)做成的襯墊物襯墊；

f．手不得(de)靠近試(shi)件，以免人體感應影(ying)響造(zao)成(cheng)測量誤差，有屏蔽的試(shi)件，屏蔽罩應連接(jie)在(zai)低電位端的接(jie)線(xian)柱。

影響介電性能的因素(su)

 下面分(fen)別討(tao)論(lun)頻率、溫(wen)度(du)、濕度(du)和電氣強度(du)對介電性能的影響。

1頻率

 因為只有(you)少數(shu)材料(liao)(liao)如石英玻璃(li)、聚(ju)苯乙(yi)烯或聚(ju)乙(yi)烯在很寬(kuan)的(de)(de)頻率范圍內它們的(de)(de) 。r和  tans幾乎是恒定的(de)(de)，且被用作工程電(dian)介(jie)質(zhi)材料(liao)(liao)，然而一般(ban)的(de)(de)電(dian)介(jie)質(zhi)材料(liao)(liao)必須在所使用的(de)(de)頻率下測量其介(jie)質(zhi)損耗因數(shu)和電(dian)容率。

 電容率和介質(zhi)損耗因數的(de)變(bian)化(hua)是由(you)于介質(zhi)極(ji)(ji)化(hua)和電導而(er)產生，重要的(de)變(bian)化(hua)是極(ji)(ji)性(xing)分子引起的(de)偶極(ji)(ji)子極(ji)(ji)化(hua)和材料的(de)不均勻性(xing)導致的(de)界面極(ji)(ji)化(hua)所(suo)引起的(de).

2溫度

 損(sun)耗指數(shu)在一(yi)個(ge)頻(pin)(pin)率下可(ke)以(yi)出現一(yi)個(ge)大值(zhi)，這個(ge)頻(pin)(pin)率值(zhi)與電介(jie)質(zhi)材料的(de)(de)溫(wen)度(du)有關(guan)。介(jie)質(zhi)損(sun)耗因數(shu)和電容率的(de)(de)溫(wen)度(du)系數(shu)可(ke)以(yi)是正的(de)(de)或(huo)負的(de)(de)，這取(qu)決于在測量溫(wen)度(du)下的(de)(de)介(jie)質(zhi)損(sun)耗指數(shu)大值(zhi)位置。

3濕(shi)度

 極化的(de)(de)程度(du)隨水分(fen)的(de)(de)吸收量(liang)或(huo)電介(jie)質(zhi)材料表(biao)面(mian)水膜的(de)(de)形成而增(zeng)加(jia)，其結果使(shi)電容率、介(jie)質(zhi)損耗因數(shu)和直流電導率增(zeng)大(da)。因此(ci)試驗前(qian)和試驗時(shi)對環(huan)境濕(shi)度(du)進行控制是*的(de)(de).

 注:濕度(du)的顯(xian)著影響常常發(fa)生在 1MHz以(yi)下及微波(bo)頻率(lv)范圍內

4電場(chang)強度

 存在界面(mian)極化時，自由離(li)子的(de)數(shu)目隨電(dian)場強度增大(da)而增加，其(qi)損耗指數(shu)大(da)值(zhi)的(de)大(da)小和(he)位置也隨此而變。

 在較(jiao)高(gao)的頻率下，只要電介質中不(bu)出現(xian)局(ju)部放電，電容(rong)率和介質損耗(hao)因(yin)數與電場強度無關