塑料材料介電常數介質損耗測試儀廠家

介電(dian)常數介質損耗試驗儀

 GDAT-A
介電常數介質損耗試驗儀滿足標準：GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內)下電容率和介質損耗因數的推薦方法
 

塑料材料介電常數介質損耗測試儀廠家技術指標
  1．Q值測量
   a．Q值測量范圍：2～1023。
   b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。
 c．標稱誤差

項    目GDAT-A
頻率范圍20kHz～10MHz；
固有誤差≤5％
工作誤差≤7％
頻率范圍10MHz～60MHz；
固有誤差≤6％
工作誤差≤8％
 

2．電感測量范圍：14.5nH~8.14H
 
3．介電常數介質損耗試驗儀電容測量：1~ 460

項    目    GDAT-A
直接測量范圍
1～460pF     主電容調節范圍      準確度 30～500pF   150pF以下±1.5pF；   150pF以上±1％
   注：大于直接測量范圍的電容測量見使用規則
   4．介電常數介質損耗試驗儀信號源頻率覆蓋范圍

項     目
GDAT-A
頻率范圍
10kHz～50MHz
頻率分段
(虛擬)
10～99.9999kHz
100～999.999kHz
1～9.99999MHz
10～60MHz    

塑料材料介電常數介質損耗測試儀廠家電感：
 
線圈號    測試頻率    Q值    分布電容p       電感值 
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH           
  1  ; 25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH

 
雙掃描技術 - 測試頻率和調諧電容的雙掃描、自動調諧搜索功能。
雙測試要素輸入 - 測試頻率及調諧電容值皆可通過數字按鍵輸入。
雙數碼化調諧 - 數碼化頻率調諧，數碼化電容調諧。
自動化測量技術 -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。
全參數液晶顯示 – 數字顯示主調電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。
DDS 數字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真，頻率的高精確、幅度的高穩定。
計算機自動修正技術和測試回路優化 —使測試回路 殘余電感減至低，治療 Q 讀數值在不同頻率時要加以修正的困惑。

介電常數測試儀根據靜電學的(de)研究成果， 真空中一個孤立(li)的(de)電荷q 會在其周圍產生(sheng)電場E，當另(ling)外的(de)一個試驗電荷q0 進(jin)入(ru)到該電場中時會受到電場力的(de)作用(yong)。由電荷q 所(suo)產生(sheng)的(de)電場強度為：

　　其中， ε₀為真空(kong)中(zhong)的(de)(de)介電(dian)(dian)(dian)常數；r 為距(ju)離點(dian)電(dian)(dian)(dian)荷(he)q 的(de)(de)徑向(xiang)距(ju)離。一(yi)般來(lai)說，電(dian)(dian)(dian)場(chang)強度(du)是一(yi)個矢量。試驗電(dian)(dian)(dian)荷(he)q0 在距(ju)電(dian)(dian)(dian)荷(he)q的(de)(de)距(ju)離為r 的(de)(de)點(dian)上受到的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)場(chang)力為：

　　根據力的反作用性質，電荷q 也同樣受到試驗電荷q0所產生的電場的力的作用且作用力的大小相等方向相反。根據式(1) 可知，真空中的介電常數ε₀表征了(le)孤(gu)(gu)立(li)電荷q 在給(gei)定的(de)距離r 上產(chan)生的(de)電場強(qiang)度的(de)大小(xiao)。如果將式(1) 中的(de)真空(kong)條件換為某種電介質(zhi)， 則同(tong)樣的(de)孤(gu)(gu)立(li)電荷q 所產(chan)生的(de)電場強(qiang)度將可表示為：

　　其中，ε為該種電介質的介電常數。在實際應用中，人們通常將真空中的介電常數ε₀選作一個參照，而將電介質的介電常數ε與ε₀的比值定義成為一個無量綱的相對介電常數ε_r，如式(4) 所示：

　　由于真空是一個理想的電(dian)(dian)(dian)介質模(mo)型( 沒有(you)原子、分子) ，所以，在(zai)實際電(dian)(dian)(dian)介質中由于束(shu)縛電(dian)(dian)(dian)荷(he)效應使原電(dian)(dian)(dian)荷(he)q所產(chan)生的電(dian)(dian)(dian)場有(you)所下(xia)降的情況在(zai)真空中不可(ke)能出(chu)現。因此(ci), 針對實際電(dian)(dian)(dian)介質的相對介電(dian)(dian)(dian)常數Er 總是滿足大于或等于1。

　　由式(3) 可見，介電常數ε表示了(le)(le)電荷(he)q 在(zai)電介質(zhi)中所(suo)產生的(de)(de)電場(chang)(chang)強度的(de)(de)大小的(de)(de)一(yi)(yi)個制約因(yin)素( 除了(le)(le)距離之(zhi)外，也是(shi)*的(de)(de)制約因(yin)素) 。顯(xian)然，這種推論在(zai)靜電場(chang)(chang)的(de)(de)情(qing)況下(xia)是(shi)*可以被接受的(de)(de)，但是(shi)若要(yao)將(jiang)這一(yi)(yi)推論直接應用到交變電場(chang)(chang)的(de)(de)情(qing)況似乎還有(you)些不充(chong)分。交變電場(chang)(chang)情(qing)況下(xia)電介質(zhi)的(de)(de)微觀(guan)表現機理(li)與宏觀(guan)作用的(de)(de)研究(jiu)取得了(le)(le)一(yi)(yi)些成果，但是(shi)仍然有(you)待更加深入的(de)(de)研究(jiu)，也是(shi)目前電介質(zhi)物理(li)、量子物理(li)的(de)(de)重要(yao)研究(jiu)方向和內容之(zhi)一(yi)(yi)。

　　可以確認(ren)的(de)(de)(de)是電(dian)(dian)介(jie)質的(de)(de)(de)介(jie)電(dian)(dian)常數所表(biao)征的(de)(de)(de)屬性(xing)在交變(bian)(bian)(bian)電(dian)(dian)場(chang)的(de)(de)(de)情況(kuang)下也會(hui)對交變(bian)(bian)(bian)電(dian)(dian)場(chang)產生影響。比如，交變(bian)(bian)(bian)電(dian)(dian)場(chang)在電(dian)(dian)介(jie)質中的(de)(de)(de)傳播速度會(hui)降低, 頻率不(bu)變(bian)(bian)(bian)，波長會(hui)變(bian)(bian)(bian)短( 電(dian)(dian)磁(ci)傳播理論)并且介(jie)電(dian)(dian)常數越(yue)大，相應的(de)(de)(de)改變(bian)(bian)(bian)也會(hui)越(yue)大。

標簽：介電常數測試儀 介電常數介質損耗測試儀  高頻介電常數測試儀

詳情咨詢：、 :