絕緣膏體電阻測試儀簡介：

可以(yi)在較高(gao)(gao)測(ce)試頻(pin)率下測(ce)量高(gao)(gao)頻(pin)電(dian)(dian)感或諧振電(dian)(dian)路的(de)(de)Q值，電(dian)(dian)感的(de)(de)電(dian)(dian)感和分布(bu)電(dian)(dian)容(rong)(rong)以(yi)及電(dian)(dian)容(rong)(rong)器的(de)(de)電(dian)(dian)容(rong)(rong)和損(sun)耗(hao)角正切(qie)。電(dian)(dian)氣材料的(de)(de)高(gao)(gao)頻(pin)介電(dian)(dian)損(sun)耗(hao)，高(gao)(gao)頻(pin)回(hui)路的(de)(de)有效并聯和串(chuan)聯電(dian)(dian)阻，傳(chuan)輸線的(de)(de)特性(xing)阻抗(kang)等。 該設備(bei)廣泛用于(yu)科研機構，學校，工廠等部門。 它主要用于(yu)測(ce)量玻(bo)璃，陶(tao)瓷(ci)和其他材料在高(gao)(gao)頻(pin)信(xin)號下的(de)(de)介電(dian)(dian)損(sun)耗(hao)和介電(dian)(dian)常數。

電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)——要求采用(yong)穩定的直(zhi)流(liu)電(dian)(dian)壓(ya)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)(見X1.7.3)。蓄電(dian)(dian)池或其它穩定直(zhi)流(liu)電(dian)(dian)壓(ya)電(dian)(dian)源(yuan)(yuan)已經證明適用(yong)于該用(yong)途。

保(bao)(bao)護(hu)回(hui)路(lu)(lu)——不管是采用兩(liang)個(ge)電(dian)極(沒有保(bao)(bao)護(hu))測(ce)(ce)量(liang)絕(jue)緣材(cai)料(liao)的(de)電(dian)阻(zu)(zu),或者是采用三個(ge)終端系統(兩(liang)個(ge)電(dian)極加上(shang)保(bao)(bao)護(hu))測(ce)(ce)量(liang)絕(jue)緣材(cai)料(liao)的(de)電(dian)阻(zu)(zu),都要考慮怎(zen)樣(yang)在試(shi)(shi)驗(yan)設(she)備(bei)(bei)和試(shi)(shi)驗(yan)樣(yang)本之間進(jin)行(xing)電(dian)連(lian)接(jie)。如果(guo)試(shi)(shi)驗(yan)樣(yang)本遠離(li)試(shi)(shi)驗(yan)設(she)備(bei)(bei)一段距離(li),或者試(shi)(shi)驗(yan)樣(yang)本在濕(shi)熱條件下(xia)進(jin)行(xing)測(ce)(ce)試(shi)(shi),或者樣(yang)本電(dian)阻(zu)(zu)預期相(xiang)對比較高(1010~1015ohms),則試(shi)(shi)驗(yan)設(she)備(bei)(bei)和試(shi)(shi)驗(yan)樣(yang)本之間可能容(rong)易存(cun)在虛(xu)假(jia)的(de)電(dian)阻(zu)(zu)通路(lu)(lu)。有必要采用保(bao)(bao)護(hu)回(hui)路(lu)(lu)來使得(de)這些虛(xu)假(jia)通路(lu)(lu)的(de)干涉降至(zhi)*(也可見X1.9)。

帶保護(hu)(hu)(hu)電極——使用同(tong)軸(zhou)電纜,其芯部通向保護(hu)(hu)(hu)電極,屏蔽端通向保護(hu)(hu)(hu)電極,以使得試驗(yan)設備(bei)和試驗(yan)樣本之間獲得適當的(de)保護(hu)(hu)(hu)連接。

沒有保護電極——使用同軸電纜,芯部通向(xiang)某一(yi)電極,屏蔽端(duan)(duan)端(duan)(duan)接到從(cong)芯部末端(duan)(duan)大(da)約1cm處(也可見圖10)。

直(zhi)接測(ce)(ce)量——采用(yong)任何設(she)備(bei)(設(she)備(bei)具(ju)有±10%的靈敏度和精度)測(ce)(ce)量在固(gu)定(ding)(ding)電壓(ya)下通(tong)過樣(yang)本(ben)的電流(liu)。適用(yong)的電流(liu)測(ce)(ce)量設(she)備(bei)包括靜電計,帶指示器的直(zhi)流(liu)放大器,和電流(liu)計。典型方法和回路見附錄X3規定(ding)(ding)。當校準測(ce)(ce)量設(she)備(bei)刻度盤來直(zhi)接讀取歐姆電阻值(zhi)時,則不要求(qiu)計算電阻測(ce)(ce)量值(zhi)。

比(bi)(bi)較-電(dian)(dian)流(liu)計(ji)(ji)(ji)——計(ji)(ji)(ji)算電(dian)(dian)阻(zu)或(huo)電(dian)(dian)導的(de)(de)(de)*百分比(bi)(bi)誤(wu)差(cha)是指Rs,電(dian)(dian)流(liu)計(ji)(ji)(ji)偏(pian)移(yi)(yi)(yi)(yi)或(huo)放大(da)(da)(da)器讀(du)數的(de)(de)(de)百分比(bi)(bi)誤(wu)差(cha)總和,同時假設(she)電(dian)(dian)流(liu)靈(ling)敏度(du)(du)與偏(pian)移(yi)(yi)(yi)(yi)無關(guan)。對于新式電(dian)(dian)流(liu)計(ji)(ji)(ji)(直流(liu)電(dian)(dian)流(liu)放大(da)(da)(da)器可(ke)能發生(sheng)1/3刻度(du)(du)偏(pian)移(yi)(yi)(yi)(yi)),后者的(de)(de)(de)假設(she)精度(du)(du)到±2%有用范(fan)圍之內(nei)(在1/10滿(man)刻度(du)(du)偏(pian)移(yi)(yi)(yi)(yi)之上(shang))。Rs的(de)(de)(de)誤(wu)差(cha)取決于采用的(de)(de)(de)電(dian)(dian)阻(zu)器類型,但是1MΩ電(dian)(dian)阻(zu)的(de)(de)(de)誤(wu)差(cha)極(ji)限(xian)低至0.1%是適用的(de)(de)(de)。對于滿(man)刻度(du)(du)偏(pian)移(yi)(yi)(yi)(yi),采用靈(ling)敏度(du)(du)為(wei)10nA的(de)(de)(de)電(dian)(dian)流(liu)計(ji)(ji)(ji)或(huo)直流(liu)電(dian)(dian)流(liu)放大(da)(da)(da)器,500V施加(jia)到5TΩ電(dian)(dian)阻(zu)上(shang)將(jiang)(jiang)能產(chan)生(sheng)1%的(de)(de)(de)偏(pian)移(yi)(yi)(yi)(yi)。在該電(dian)(dian)壓處,采用先(xian)前標(biao)記的(de)(de)(de)標(biao)準電(dian)(dian)阻(zu)器,Fs=105,ds將(jiang)(jiang)大(da)(da)(da)約為(wei)1/2的(de)(de)(de)滿(man)刻度(du)(du)偏(pian)移(yi)(yi)(yi)(yi),可(ke)讀(du)性誤(wu)差(cha)不(bu)大(da)(da)(da)于±1%。如果dx大(da)(da)(da)約為(wei)1/4滿(man)刻度(du)(du)偏(pian)移(yi)(yi)(yi)(yi),可(ke)讀(du)性誤(wu)差(cha)將(jiang)(jiang)不(bu)超過±4%,同時可(ke)以(yi)在±5-1/2%*誤(wu)差(cha)下(xia)測量200GΩ電(dian)(dian)阻(zu)。

電(dian)(dian)壓(ya)變化速率——測(ce)量精(jing)度(du)直接與施加電(dian)(dian)壓(ya)和電(dian)(dian)流(liu)計讀數(shu)變化的(de)時(shi)間率測(ce)量精(jing)度(du)成比例。靜電(dian)(dian)計開關打開的(de)時(shi)間長短和采(cai)用(yong)的(de)刻(ke)度(du)應使得可以精(jing)確測(ce)量時(shi)間,同時(shi)可獲得滿刻(ke)度(du)讀數(shu)。在(zai)這些條件下,精(jing)度(du)將與其它測(ce)量電(dian)(dian)流(liu)方法的(de)精(jing)度(du)相當(dang)。

比較電(dian)(dian)(dian)橋——當(dang)探(tan)測(ce)器(qi)具有(you)適當(dang)的(de)(de)靈敏度,電(dian)(dian)(dian)腦(nao)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)的(de)(de)*百(bai)分(fen)(fen)比誤(wu)(wu)差(cha)(cha)是指臂A,B和(he)N的(de)(de)百(bai)分(fen)(fen)比誤(wu)(wu)差(cha)(cha)總和(he)。當(dang)采(cai)用1 mV/分(fen)(fen)刻度的(de)(de)探(tan)測(ce)器(qi)靈敏度時(shi),500V電(dian)(dian)(dian)壓施加到電(dian)(dian)(dian)橋上,RN=1GΩ,電(dian)(dian)(dian)阻(zu)為(wei)1000TΩ將能產生一個分(fen)(fen)刻度的(de)(de)探(tan)測(ce)器(qi)偏移。假設忽略RA和(he)RB的(de)(de)誤(wu)(wu)差(cha)(cha),已知RN=1GΩ在(zai)±2%之內,同時(shi)電(dian)(dian)(dian)橋平(ping)衡在(zai)一個探(tan)測(ce)器(qi)分(fen)(fen)刻度,可采(cai)用±6%的(de)(de)*誤(wu)(wu)差(cha)(cha)來測(ce)量100TΩ的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)。

幾個制造商可提供必要的滿足本方法要求的零件或(huo)專(zhuan)用系統。

涂層(ceng)漆體(ti)積電(dian)阻率測試(shi)儀(yi)測試(shi)電(dian)壓10V/50V/100V/250V/500V/1000V任意可調(diao)。具(ju)有精度高、顯示迅速、性好穩定、讀數方便。適(shi)用于橡膠、塑(su)料、薄膜、地毯、織物(wu)及粉體(ti)、液體(ti)、及固體(ti)和膏體(ti)形(xing)狀的各(ge)種(zhong)絕緣材料體(ti)積和表面電(dian)阻值的測定。

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絕緣膏體電阻測試儀注意事項：