膏體電阻測試儀簡介：

可以在較高(gao)測試頻率下測量高(gao)頻電(dian)感(gan)或諧振電(dian)路(lu)(lu)的(de)Q值(zhi)，電(dian)感(gan)的(de)電(dian)感(gan)和(he)(he)分布電(dian)容以及電(dian)容器的(de)電(dian)容和(he)(he)損(sun)耗(hao)角(jiao)正切。電(dian)氣材料的(de)高(gao)頻介電(dian)損(sun)耗(hao)，高(gao)頻回路(lu)(lu)的(de)有(you)效(xiao)并(bing)聯和(he)(he)串聯電(dian)阻，傳輸線(xian)的(de)特(te)性阻抗等。 該設備廣泛(fan)用(yong)于科研(yan)機構，學(xue)校(xiao)，工廠等部(bu)門。 它主要用(yong)于測量玻璃，陶瓷和(he)(he)其他材料在高(gao)頻信號(hao)下的(de)介電(dian)損(sun)耗(hao)和(he)(he)介電(dian)常數。

電(dian)源(yuan)(yuan)——要求采用(yong)穩(wen)定(ding)的直(zhi)流(liu)電(dian)壓電(dian)源(yuan)(yuan)(見X1.7.3)。蓄電(dian)池或其它(ta)穩(wen)定(ding)直(zhi)流(liu)電(dian)壓電(dian)源(yuan)(yuan)已經證明適(shi)用(yong)于該用(yong)途。

保(bao)護(hu)回(hui)路——不管是(shi)采(cai)用兩個電極(ji)(沒有保(bao)護(hu))測(ce)量(liang)絕(jue)緣(yuan)材(cai)料的(de)(de)電阻(zu)(zu),或(huo)者(zhe)(zhe)是(shi)采(cai)用三個終端系統(兩個電極(ji)加上保(bao)護(hu))測(ce)量(liang)絕(jue)緣(yuan)材(cai)料的(de)(de)電阻(zu)(zu),都要考慮怎樣(yang)(yang)在試(shi)(shi)(shi)(shi)驗設(she)(she)備(bei)和(he)試(shi)(shi)(shi)(shi)驗樣(yang)(yang)本(ben)(ben)之間(jian)進行電連接(jie)。如果試(shi)(shi)(shi)(shi)驗樣(yang)(yang)本(ben)(ben)遠離試(shi)(shi)(shi)(shi)驗設(she)(she)備(bei)一段距離,或(huo)者(zhe)(zhe)試(shi)(shi)(shi)(shi)驗樣(yang)(yang)本(ben)(ben)在濕熱條件下進行測(ce)試(shi)(shi)(shi)(shi),或(huo)者(zhe)(zhe)樣(yang)(yang)本(ben)(ben)電阻(zu)(zu)預期相對比較高(1010~1015ohms),則試(shi)(shi)(shi)(shi)驗設(she)(she)備(bei)和(he)試(shi)(shi)(shi)(shi)驗樣(yang)(yang)本(ben)(ben)之間(jian)可(ke)能容(rong)易存在虛(xu)假的(de)(de)電阻(zu)(zu)通路。有必要采(cai)用保(bao)護(hu)回(hui)路來使得(de)這些虛(xu)假通路的(de)(de)干涉降(jiang)至(zhi)*(也可(ke)見(jian)X1.9)。

帶(dai)保(bao)護(hu)電極(ji)——使用(yong)同軸電纜,其芯部通(tong)(tong)向(xiang)保(bao)護(hu)電極(ji),屏蔽(bi)端通(tong)(tong)向(xiang)保(bao)護(hu)電極(ji),以使得(de)試驗設備和(he)試驗樣(yang)本之(zhi)間(jian)獲得(de)適(shi)當(dang)的保(bao)護(hu)連接(jie)。

沒(mei)有保護電(dian)(dian)極(ji)——使用(yong)同(tong)軸電(dian)(dian)纜,芯部通向某一(yi)電(dian)(dian)極(ji),屏(ping)蔽(bi)端(duan)端(duan)接到從芯部末端(duan)大約1cm處(chu)(也可見圖10)。

直(zhi)(zhi)接測量——采用任何設(she)備(bei)(設(she)備(bei)具有±10%的靈敏度和精度)測量在固定(ding)電(dian)壓下通(tong)過(guo)樣(yang)本的電(dian)流(liu)。適用的電(dian)流(liu)測量設(she)備(bei)包(bao)括(kuo)靜電(dian)計,帶指示器(qi)的直(zhi)(zhi)流(liu)放(fang)大器(qi),和電(dian)流(liu)計。典型方法(fa)和回路見附(fu)錄X3規定(ding)。當校(xiao)準測量設(she)備(bei)刻度盤來直(zhi)(zhi)接讀取歐姆電(dian)阻值時,則(ze)不要(yao)求計算電(dian)阻測量值。

比較-電(dian)(dian)流(liu)(liu)計(ji)(ji)——計(ji)(ji)算(suan)電(dian)(dian)阻或電(dian)(dian)導的(de)(de)*百分比誤(wu)(wu)(wu)差(cha)(cha)是(shi)指(zhi)Rs,電(dian)(dian)流(liu)(liu)計(ji)(ji)偏(pian)移(yi)或放(fang)(fang)大(da)(da)(da)器(qi)(qi)讀(du)數的(de)(de)百分比誤(wu)(wu)(wu)差(cha)(cha)總和,同(tong)時假設電(dian)(dian)流(liu)(liu)靈敏度(du)(du)(du)(du)與偏(pian)移(yi)無關(guan)。對(dui)于(yu)新(xin)式電(dian)(dian)流(liu)(liu)計(ji)(ji)(直流(liu)(liu)電(dian)(dian)流(liu)(liu)放(fang)(fang)大(da)(da)(da)器(qi)(qi)可(ke)能(neng)發生1/3刻度(du)(du)(du)(du)偏(pian)移(yi)),后者的(de)(de)假設精度(du)(du)(du)(du)到±2%有用(yong)范圍之(zhi)內(nei)(在(zai)(zai)1/10滿刻度(du)(du)(du)(du)偏(pian)移(yi)之(zhi)上)。Rs的(de)(de)誤(wu)(wu)(wu)差(cha)(cha)取決于(yu)采(cai)用(yong)的(de)(de)電(dian)(dian)阻器(qi)(qi)類型,但是(shi)1MΩ電(dian)(dian)阻的(de)(de)誤(wu)(wu)(wu)差(cha)(cha)極限低至0.1%是(shi)適用(yong)的(de)(de)。對(dui)于(yu)滿刻度(du)(du)(du)(du)偏(pian)移(yi),采(cai)用(yong)靈敏度(du)(du)(du)(du)為(wei)10nA的(de)(de)電(dian)(dian)流(liu)(liu)計(ji)(ji)或直流(liu)(liu)電(dian)(dian)流(liu)(liu)放(fang)(fang)大(da)(da)(da)器(qi)(qi),500V施加(jia)到5TΩ電(dian)(dian)阻上將能(neng)產生1%的(de)(de)偏(pian)移(yi)。在(zai)(zai)該(gai)電(dian)(dian)壓處,采(cai)用(yong)先前標記的(de)(de)標準電(dian)(dian)阻器(qi)(qi),Fs=105,ds將大(da)(da)(da)約為(wei)1/2的(de)(de)滿刻度(du)(du)(du)(du)偏(pian)移(yi),可(ke)讀(du)性誤(wu)(wu)(wu)差(cha)(cha)不大(da)(da)(da)于(yu)±1%。如果dx大(da)(da)(da)約為(wei)1/4滿刻度(du)(du)(du)(du)偏(pian)移(yi),可(ke)讀(du)性誤(wu)(wu)(wu)差(cha)(cha)將不超(chao)過±4%,同(tong)時可(ke)以在(zai)(zai)±5-1/2%*誤(wu)(wu)(wu)差(cha)(cha)下測量200GΩ電(dian)(dian)阻。

電(dian)(dian)壓變化速率——測量精(jing)(jing)度(du)直接(jie)與(yu)施(shi)加電(dian)(dian)壓和(he)電(dian)(dian)流計讀數變化的時(shi)間(jian)率測量精(jing)(jing)度(du)成比(bi)例。靜電(dian)(dian)計開(kai)(kai)關打(da)開(kai)(kai)的時(shi)間(jian)長短和(he)采用(yong)的刻度(du)應(ying)使得(de)可以(yi)精(jing)(jing)確測量時(shi)間(jian),同時(shi)可獲得(de)滿刻度(du)讀數。在這些條件(jian)下,精(jing)(jing)度(du)將與(yu)其它測量電(dian)(dian)流方法的精(jing)(jing)度(du)相當。

比(bi)(bi)較電橋——當探測(ce)器(qi)(qi)具有(you)適(shi)當的(de)(de)靈敏度(du)(du)(du),電腦(nao)電阻(zu)的(de)(de)*百(bai)分(fen)(fen)比(bi)(bi)誤(wu)差(cha)(cha)(cha)(cha)是指臂A,B和(he)N的(de)(de)百(bai)分(fen)(fen)比(bi)(bi)誤(wu)差(cha)(cha)(cha)(cha)總和(he)。當采用1 mV/分(fen)(fen)刻度(du)(du)(du)的(de)(de)探測(ce)器(qi)(qi)靈敏度(du)(du)(du)時(shi),500V電壓(ya)施加到電橋上(shang),RN=1GΩ,電阻(zu)為1000TΩ將能(neng)產(chan)生一(yi)(yi)個分(fen)(fen)刻度(du)(du)(du)的(de)(de)探測(ce)器(qi)(qi)偏(pian)移。假設忽略RA和(he)RB的(de)(de)誤(wu)差(cha)(cha)(cha)(cha),已知RN=1GΩ在±2%之內,同(tong)時(shi)電橋平衡在一(yi)(yi)個探測(ce)器(qi)(qi)分(fen)(fen)刻度(du)(du)(du),可(ke)采用±6%的(de)(de)*誤(wu)差(cha)(cha)(cha)(cha)來測(ce)量100TΩ的(de)(de)電阻(zu)。

幾(ji)個制造商可提供必要的(de)滿足本方(fang)法要求的(de)零件或專用系統。

涂層(ceng)漆體(ti)積電阻(zu)率測(ce)(ce)試(shi)儀(yi)測(ce)(ce)試(shi)電壓10V/50V/100V/250V/500V/1000V任意可調。具有精度高(gao)、顯示(shi)迅(xun)速、性好穩(wen)定(ding)、讀(du)數方便。適用于橡膠、塑料、薄膜、地毯、織物及粉體(ti)、液體(ti)、及固體(ti)和膏體(ti)形狀的各(ge)種絕緣材料體(ti)積和表面(mian)電阻(zu)值的測(ce)(ce)定(ding)。

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膏體電阻測試儀參數：

測量參數(shu)  絕(jue)緣電(dian)阻(zu) R，泄漏電(dian)流 I，表面電(dian)阻(zu) Rs，體(ti)積電(dian)阻(zu) Rv

測試(shi)電壓 1-1000v任意電壓

測試范圍  5*102Ω~1X10 20Ω（超出顯示電(dian)流最大換(huan)算可到(dao)20次(ci)方），2mA ~ 0.01pA

測試速度（MAX）  快速 5 次(ci)/秒，慢(man)速 1 次(ci)/秒，

回讀電壓(ya)精度  0.5%±1V

量(liang)程超限顯示  量(liang)程上超

輸入(ru)端子  香蕉插(cha)頭(tou)，BNC 插(cha)頭(tou)

操作(zuo)鍵(jian)  橡膠鍵(jian)

顯示  4.3寸(cun)TFT

精度保證期(qi)  1年 根(gen)據計量證書有效期(qi)

操作溫度和濕度 0℃到40℃80%RH以下(無凝結(jie))

存儲溫度(du)和濕度(du) -10℃到60℃ 80%RH以下(無凝結(jie))

符合標準：

GB/T 1410-2006《 固體絕(jue)緣材料體積電阻率(lv)和(he)表面電阻率(lv)試(shi)驗方法(fa)》

ASTM D257-99《絕緣(yuan)材(cai)料(liao)的直(zhi)流電阻或電導試驗(yan)方法》

GB/T 10581-2006 《絕緣材料在高溫下(xia)電阻和電阻率的試驗方法》

GB/T 1692-2008 《硫(liu)化橡膠 絕緣(yuan)電阻率的測定》

GB/T 2439-2001《硫化橡(xiang)(xiang)膠或熱塑性橡(xiang)(xiang)膠 導電性能和耗(hao)散性能電阻率的測定》

GB/T 12703.4-2010 《紡織(zhi)品 靜電性能的(de)評定 第4部分：電阻率(lv)》

GB/T 10064-2006_《測定固體絕(jue)緣(yuan)(yuan)材料絕(jue)緣(yuan)(yuan)電阻(zu)的試驗(yan)方法》