GB1409介電常數測試儀高頻Q表能在較高的測試頻率條件下，測量高頻電感或諧振回路的Q值，電感器的電感量和分布電容量，電容器的電容量和損耗角正切值，電工材料的高頻介質損耗，高頻回路有效并聯及串聯電阻，傳輸線的特性阻抗等。該儀器廣泛地用于科研機關、學校、工廠等單位。

LKI-1電感組：

線圈(quan)號    測試(shi)頻率(lv)    Q值    分布電容p       電感(gan)值  

  9         100KHz      98       9.4           25mH

  ;8         400KHz     138       11.4        4.87mH

  7         400KHz    202       16           ;0.99mH

  6           1MHz  ;   196       13          252μH

  5           2MHz     198       8.7       ; 49.8μH

  4         4.5MHz    231       7             10μH

  3          12MHz      193     6.9    ;     2.49μH

  2          12MHz      229     6.4        0.508μH            

  1   25MHz，50MHz   233，211    0.9       0.125μH

技術參(can)數：

1．Q值測量

a．Q值測量范圍(wei)：2～1023。

b．Q值(zhi)量程分檔：30、100、300、1000、自動換檔或手動換檔。

c．標稱誤(wu)差(cha)

     頻(pin)率(lv)范圍（100kHz～10MHz）： 頻(pin)率(lv)范圍（10MHz～160MHz）：

     固(gu)有誤差(cha)：≤5％±滿度值(zhi)的(de)(de)2% 固(gu)有誤差(cha)：≤6％±滿度值(zhi)的(de)(de)2%

 ;    工作誤差(cha)：≤7％±滿度值(zhi)的(de)2% 工作誤差(cha)：≤8％±滿度值(zhi)的(de)2%

2．電感測量范圍(wei)：4.5nH~7.9mH

3．電容測量：1~205

     主(zhu)電容調節(jie)范圍：18～220pF

     準確度(du)：150pF以下±1.5pF； 150pF以上±1%

     注：大(da)于直接測量范圍的電(dian)容(rong)測量見后頁使用說明

4.  信號(hao)源頻率覆蓋范圍

     頻(pin)率范圍(wei)CH1:0.1～0.999999MHz, CH2: 1～9.99999MHz,

     CH3:10～99.9999MHz, CH1 :100～160MHz,

5．Q合格(ge)指(zhi)示預置功能:      預置范圍：5～1000。

6．B-測試儀正(zheng)常工作條件

a.  環(huan)境溫(wen)度(du)：0℃～+40℃；

b．相(xiang)對濕度：<80％；

c．電源：220V±22V，50Hz±2.5Hz。

7．其他

a．消(xiao)耗功率：約25W；

b．凈重：約7kg；

c. 外(wai)型尺寸：（l×b×h）mm：380×132&times;280。

GB1409介電常數測試儀電介質的用途

 電(dian)介質(zhi)一(yi)般被用在兩個(ge)不同(tong)的方面:

 用作(zuo)電(dian)氣(qi)回(hui)路元件(jian)(jian)的支(zhi)撐(cheng)，并且使元件(jian)(jian)對地絕(jue)緣及元件(jian)(jian)之間相互絕(jue)緣;

 用作電(dian)容器(qi)介(jie)質

溫度

損(sun)耗(hao)指(zhi)數(shu)在一個頻率下可(ke)以出現(xian)一個 大值，這(zhe)個頻率值與電介(jie)質(zhi)材(cai)料的(de)(de)(de)溫度有關。介(jie)質(zhi)損(sun)耗(hao)因(yin)數(shu)和電容率的(de)(de)(de)溫度系數(shu)可(ke)以是(shi)正的(de)(de)(de)或負的(de)(de)(de)，這(zhe)取決于在測量溫度下的(de)(de)(de)介(jie)質(zhi)損(sun)耗(hao)指(zhi)數(shu) 大值位置。

電場強度(du)

存在界面(mian)極化時，自由離(li)子的數(shu)目(mu)隨電場(chang)強度(du)增大(da)而(er)增加，其(qi)損耗指數(shu) 大(da)值的大(da)小和位(wei)置(zhi)也隨此而(er)變。

 在較高的頻率(lv)下，只要電介(jie)(jie)質中(zhong)不出現(xian)局部(bu)放電，電容率(lv)和(he)介(jie)(jie)質損(sun)耗因數(shu)與電場強度無關.

陶瓷材料的損耗

陶瓷材料的(de)介(jie)質(zhi)損耗(hao)主要(yao)來(lai)源于電(dian)(dian)導損耗(hao)、松弛質(zhi)點的(de)極化損耗(hao)和結構損耗(hao)。此外(wai)，表(biao)面氣孔吸附水(shui)分(fen)、油污及灰(hui)塵等(deng)造成(cheng)的(de)表(biao)面電(dian)(dian)導也會引起較大(da)的(de)損耗(hao)。

在(zai)結構(gou)緊密的(de)(de)陶瓷(ci)(ci)中，介質損耗(hao)主(zhu)要來源于(yu)玻璃相(xiang)。為(wei)了(le)改(gai)善(shan)某些陶瓷(ci)(ci)的(de)(de)工藝性(xing)能，往(wang)往(wang)在(zai)配(pei)方中引人此易熔物質（如(ru)(ru)黏土(tu)），形成(cheng)玻璃相(xiang)，這樣就(jiu)使損耗(hao)增(zeng)大(da)(da)。如(ru)(ru)滑石(shi)(shi)瓷(ci)(ci)、尖(jian)晶石(shi)(shi)瓷(ci)(ci)隨黏土(tu)含(han)量增(zeng)大(da)(da)，介質損耗(hao)也(ye)增(zeng)大(da)(da)。因(yin)面(mian)一般(ban)高頻瓷(ci)(ci)，如(ru)(ru)氧化鋁瓷(ci)(ci)、金紅石(shi)(shi)等很少(shao)含(han)有玻璃相(xiang)。大(da)(da)多(duo)數電陶瓷(ci)(ci)的(de)(de)離子松(song)弛極化損耗(hao)較大(da)(da)，主(zhu)要的(de)(de)原因(yin)是：主(zhu)晶相(xiang)結構(gou)松(song)散，生成(cheng)了(le)缺(que)固濟(ji)體、多(duo)品型(xing)轉變等。

漏導損(sun)耗(hao)

實際(ji)使(shi)用(yong)中的(de)絕緣材料都(dou)不是(shi)完善的(de)理想的(de)電介(jie)(jie)質(zhi)，在外電場的(de)作用(yong)下(xia)，總有一些帶(dai)電粒子會發生移動而(er)(er)引(yin)起(qi)微(wei)弱的(de)電流，這種微(wei)小電流稱為漏(lou)(lou)導(dao)電流，漏(lou)(lou)導(dao)電流流經介(jie)(jie)質(zhi)時使(shi)介(jie)(jie)質(zhi)發熱而(er)(er)損(sun)耗(hao)了電能。這種因電導(dao)而(er)(er)引(yin)起(qi)的(de)介(jie)(jie)質(zhi)損(sun)耗(hao)稱為“漏(lou)(lou)導(dao)損(sun)耗(hao)”。由(you)于實阿的(de)電介(jie)(jie)質(zhi)總存(cun)在一些缺(que)陷，或多或少存(cun)在一些帶(dai)電粒子或空(kong)位，因此介(jie)(jie)質(zhi)不論在直(zhi)流電場或交變電場作用(yong)下(xia)都(dou)會發生漏(lou)(lou)導(dao)損(sun)耗(hao)。

介(jie)(jie)質(zhi)損(sun)耗：絕(jue)緣材料在(zai)電(dian)場作用(yong)下，由(you)于介(jie)(jie)質(zhi)電(dian)導和(he)介(jie)(jie)質(zhi)極化(hua)的滯后效(xiao)應，在(zai)其內部引起的能量損(sun)耗。也叫介(jie)(jie)質(zhi)損(sun)失，簡(jian)稱(cheng)介(jie)(jie)損(sun)。在(zai)交變(bian)電(dian)場作用(yong)下，電(dian)介(jie)(jie)質(zhi)內流(liu)過的電(dian)流(liu)相量和(he)電(dian)壓相量之(zhi)間(jian)的夾(jia)角（功率(lv)因數角Φ）的余角δ稱(cheng)為介(jie)(jie)質(zhi)損(sun)耗角。

損(sun)(sun)耗(hao)(hao)因子也(ye)指耗(hao)(hao)損(sun)(sun)正切，是交(jiao)流電(dian)被(bei)轉化為熱能的介電(dian)損(sun)(sun)耗(hao)(hao)（耗(hao)(hao)散的能量(liang)）的量(liang)度，一(yi)般(ban)情(qing)況下都期望耗(hao)(hao)損(sun)(sun)因子低些好 。

電(dian)介質(zhi)在恒(heng)定電(dian)場作用下，介質(zhi)損耗的功率為

　　W=U2/R=（Ed）2S/ρd=σE2Sd

定(ding)義單位體(ti)積的介質損耗為介質損耗率(lv)為

ω=σE2

在交(jiao)變電(dian)(dian)場作用下，電(dian)(dian)位移(yi)D與電(dian)(dian)場強度E均變為復(fu)數(shu)矢量，此(ci)時介電(dian)(dian)常數(shu)也變成復(fu)數(shu)，其(qi)虛部就表示了電(dian)(dian)介質中能量損(sun)耗的大小。

D，E，J之間的相位關(guan)系圖

D，E，J之間(jian)的相(xiang)位關系(xi)圖

如圖所(suo)示(shi)，從電(dian)路觀點來看，電(dian)介質中的電(dian)流密度為

J=dD/dt=d（εE）/dt=Jτ+iJe

式中Jτ與E同(tong)相位。稱為有功電流密度，導致能(neng)量損耗；Je，相比較E超前90°，稱為無功電流密度。

定義

tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ

式中(zhong)，δ稱為(wei)損(sun)耗角(jiao)，tan&delta;稱為(wei)損(sun)耗角(jiao)正切值。

損(sun)耗角正切(qie)表示為(wei)獲(huo)得給定的(de)(de)(de)(de)(de)存儲電荷要(yao)消耗的(de)(de)(de)(de)(de)能量的(de)(de)(de)(de)(de)大小，是電介(jie)質(zhi)作為(wei)絕(jue)緣材(cai)料使(shi)用時的(de)(de)(de)(de)(de)重要(yao)評價參數。為(wei)了(le)減少介(jie)質(zhi)損(sun)耗，希望材(cai)料具有較小的(de)(de)(de)(de)(de)介(jie)電常數和更(geng)小的(de)(de)(de)(de)(de)損(sun)耗角正切(qie)。損(sun)耗因素的(de)(de)(de)(de)(de)倒數Q=（tanδ）-1在高頻絕(jue)緣應用條件下稱為(wei)電介(jie)質(zhi)的(de)(de)(de)(de)(de)品質(zhi)因素，希望它的(de)(de)(de)(de)(de)值要(yao)高。

主(zhu)要特點：

空(kong)洞共振腔適用于CCL/印刷線路板，薄(bo)膜等非破壞性低介電損耗材料(liao)量測。

印電路板主要由玻纖(xian)與環氧樹脂組成(cheng)(cheng)的(de), 玻纖(xian)介(jie)電常(chang)數為5~6, 樹脂大約是3, 由于樹脂含量, 硬化程度, 溶(rong)劑(ji)殘留等因素會造(zao)成(cheng)(cheng)介(jie)電特性(xing)的(de)偏(pian)差, 傳統測(ce)(ce)量方法樣品制作不(bu)易, 尤其是薄膜(mo)樣品( 小于 10 mil) 量測(ce)(ce)值偏(pian)低,。