介電常數測試儀應用范圍和介紹
應用范圍：
測量絕緣材料的介電常數和介質損耗系數（介質損耗角正切值）
技術參數：
| 序號 | 項目 | 參數 |
| 1 | 信號源 | DDS數字合成 10KHZ-70MHz |
| 2 | 調諧電容 | 主電容30-500PF |
| 3 | 調諧電容誤差和分辨率 | ±1.5P或<1%< p=""> |
| 4 | Q測量范圍 | 1-1000自動/手動量程 |
| 5 | Q測量工作誤差 | <5%< p=""> |
| 6 | Q分辨率 | 4位有效數，分辨率0.1 |
儀器自動扣除殘余電感和測試引線電感。大幅提高測量精度。
大電容值直接測量顯示。
參照標準：ASTM D150-11實心電絕緣材料的交流損耗特性和電容率（介電常數）的標準試驗方法；
GB/T1409-2006測量電(dian)氣絕緣材料在工(gong)頻、音頻、高頻下電(dian)容率和(he)介質損(sun)耗(hao)因數的(de)推薦方(fang)法；
GB/T1693-2007硫化橡(xiang)膠介(jie)電常數和介(jie)質損耗角正切值的(de)測定方(fang)法；
GBT5594.4-2015電子元器件結構陶瓷材料(liao)性(xing)能測試方法(fa)第4部(bu)分(fen):介(jie)(jie)電常數和介(jie)(jie)質損耗角正切值的測試方法(fa)；
GB/T 1693-2007、ASTM D150-11、GB/T1409-2006、GBT5594.4-2015介電性能(neng)(neng)測試(shi)儀 GB/T 1693 ASTM D150是各種(zhong)金(jin)屬(shu)(shu)氧化物，板材，瓷器（陶(tao)器），云母，玻璃，塑料等物質(zhi)的一項重要的物理性質(zhi)。通過測定可進一步了解(jie)影響介質(zhi)損耗和介電常數的各種(zhong)因素(su)，為提高材料的性能(neng)(neng)提供依據。該儀器用(yong)(yong)于科(ke)研機(ji)(ji)關(guan)、學(xue)校、工廠等單位(wei)對無機(ji)(ji)金(jin)屬(shu)(shu)新(xin)材料性能(neng)(neng)的應(ying)用(yong)(yong)研究(jiu)。
產品介紹:
介質(zhi)損(sun)耗和介電(dian)常數(shu)是各種(zhong)金屬氧化物，板材(cai)，瓷(ci)器(qi)(qi)（陶器(qi)(qi)），云母，玻璃，塑料(liao)等物質(zhi)的(de)(de)一項重要的(de)(de)物理性(xing)(xing)質(zhi)。通過測定(ding)可進一步了解影響介質(zhi)損(sun)耗和介電(dian)常數(shu)的(de)(de)各種(zhong)因素，為提高材(cai)料(liao)的(de)(de)性(xing)(xing)能(neng)提供依據。該儀(yi)器(qi)(qi)用于科研機(ji)關、學(xue)校、工廠等單位對無(wu)機(ji)金屬新材(cai)料(liao)性(xing)(xing)能(neng)的(de)(de)應用研究(jiu)。
介電常數測試儀術語
定義：
這些試(shi)驗方法(fa)所用術(shu)語定(ding)義(yi)以及電絕緣材料相關術(shu)語定(ding)義(yi)見術(shu)語標(biao)準D1711。
本標(biao)準專用術語(yu)定義：
電(dian)(dian)容(rong)，C，名詞(ci)——當導體(ti)之(zhi)間存在電(dian)(dian)勢(shi)差時(shi)，導體(ti)和(he)電(dian)(dian)介質系統允許儲存電(dian)(dian)分離(li)電(dian)(dian)荷的性能。
討論——電容是指(zhi)電流電量 q與電位(wei)差V之間的比值(zhi)(zhi)(zhi)。電容值(zhi)(zhi)(zhi)總是正值(zhi)(zhi)(zhi)。當電量采用庫倫(lun)為單位(wei)，電位(wei)采用伏特為單位(wei)時，電容單位(wei)為法拉(la)，即(ji)：
C=q/V （1）
耗散因子（D），（損耗角(jiao)正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數(shu)（K''）與相對電容率（K'）之間(jian)的比(bi)值，它(ta)還等于其(qi)損耗角(jiao)（δ）的正切值或者其(qi)相位角(jiao)（θ）的余切值（見圖(tu)1和(he)圖(tu)2）。
D=K''/K' (2)
4 相關(guan)ASTM標準(zhun)，ASTM標準(zhun)手(shou)冊卷次(ci)信息，可參見ASTM網站標準(zhun)文(wen)件匯總(zong)。
5 該歷(li)史標準的(de)較后批(pi)準版討(tao)論(lun)——a：
D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp (3)
式中：
G=等效交流電導，
Xp=并聯電抗，
Rp=等效交流并聯(lian)電(dian)阻，
Cp=并聯電容，
ω=2πf（假設為正弦波形狀）
耗散因子的倒數(shu)為品質(zhi)因子Q，有時成為儲能因子。對于串聯(lian)和并聯(lian)模型，電容器耗散因子D都是相(xiang)同的，按如下表示(shi)為：
D=ωRsCs=1/ωRpCp (4)
串(chuan)聯(lian)和并(bing)聯(lian)部(bu)分之間(jian)的關系滿足以下要求：
Cp=Cs/(1 D2) (5)
Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2 (6)
